时间：2025/5/8 18:25:25
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DMN63D8LDW 是一款 N 沣道晶体管 (N-MOSFET)，采用逻辑电平设计，适用于低电压应用场合。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合用于功率转换、电机驱动以及负载开关等应用。它采用了 D2PAK-7 封装形式，能够提供良好的散热性能和电气连接。
最大漏源电压(VDS)：60V
连续漏极电流(ID)：33A
导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ
栅极阈值电压(VGS(th))：2.1V
总功耗(PD)：215W
工作结温范围(TJ)：-55℃ 至 175℃
封装类型：D2PAK-7
DMN63D8LDW 具有低导通电阻 (<1.8mΩ)，这有助于减少传导损耗并提高效率。
其逻辑电平设计使得该器件在低栅极驱动电压下即可完全开启，非常适合电池供电设备。
该 MOSFET 的快速开关能力可降低开关损耗，并且具备较强的雪崩能量承受能力，从而增强了系统的可靠性。
D2PAK-7 封装提供了出色的散热性能和牢固的引脚结构，适用于高功率密度的应用场景。
此外，该器件符合 RoHS 标准，环保无铅。
DMN63D8LDW 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制器、电源管理系统以及负载开关等电路中。
它特别适合需要低导通损耗和高效率的电池供电设备，例如笔记本电脑适配器、电动工具和不间断电源 (UPS) 系统。
同时，在工业自动化领域，如机器人控制和伺服驱动器中也经常使用此器件。
由于其出色的热性能和电气性能，DMN63D8LDW 还被广泛用于汽车电子系统中的各种功率管理模块。
DMN63D8LDT, DMN63D8LDG
