H9CKNNNDATMUPR-NUH 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备高速数据存取能力和较低的功耗,适用于需要大量内存和高性能计算的设备,如服务器、个人电脑、工作站以及其他需要大容量内存的嵌入式系统。
型号:H9CKNNNDATMUPR-NUH
制造商:SK Hynix
内存类型:DRAM
封装类型:BGA
内存容量:8GB
数据速率:3200Mbps
电压:1.2V
内存架构:DDR4 SDRAM
工作温度:0°C 至 85°C
封装尺寸:13mm x 15mm
引脚数量:96
刷新周期:64ms
H9CKNNNDATMUPR-NUH 是一款基于DDR4技术的DRAM芯片,具备出色的性能和可靠性。该芯片采用了先进的1.2V低压供电设计,有助于降低功耗并提高能效,适用于高性能计算和节能型系统。其3200Mbps的数据速率支持高速数据传输,能够满足现代计算应用对内存带宽的需求。
该DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,封装尺寸为13mm x 15mm,适用于高密度内存模块的设计,提供稳定的电气性能和良好的散热能力。其工作温度范围为0°C 至 85°C,适合在各种环境条件下运行,确保了在工业级应用中的稳定性。
此外,H9CKNNNDATMUPR-NUH 支持标准的64ms刷新周期,确保数据的稳定存储,并通过JEDEC标准认证,兼容多种主板和内存控制器。该芯片的96引脚设计确保了良好的信号完整性和电气连接性能,使其在高负载和高频率下仍能保持稳定运行。
这款DRAM芯片广泛用于服务器、台式机、笔记本电脑以及高端嵌入式系统中,是需要高性能内存解决方案的理想选择。
H9CKNNNDATMUPR-NUH 主要应用于需要高性能和大容量内存的电子设备。在服务器和数据中心中,该芯片可为大规模数据库、云计算和虚拟化环境提供稳定的内存支持,提高系统整体性能和响应速度。在个人电脑和工作站中,该芯片可用于提升图形处理能力、多任务处理效率以及游戏体验。
此外,H9CKNNNDATMUPR-NUH 还可用于工业自动化、网络设备、通信基础设施以及高端嵌入式系统。例如,在网络交换机和路由器中,该芯片可为数据包处理和转发提供高速缓存支持;在工业控制系统中,它可确保实时数据处理的稳定性和高效性。由于其优异的性能和广泛的应用范围,H9CKNNNDATMUPR-NUH 成为了许多高性能系统设计中的首选DRAM芯片。
H9CKNNNBATMUPR-NUH
H9CKNNN8ATMUPR-NUH
H9CCNNNDATMUPR-NUH