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AOD600A70 发布时间 时间:2025/5/28 19:38:38 查看 阅读:5

AOD600A70是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和性能。
  AOD600A70为N沟道增强型MOSFET,其工作电压范围较宽,可满足多种电路设计需求。此外,它还具备良好的热稳定性和可靠性,适合在严苛环境下使用。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:6.0A
  导通电阻:35mΩ
  栅极电荷:12nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

AOD600A70的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够减少开关损耗并支持高频操作。
  3. 高度稳定的电气性能和耐热性,保证了长期使用的可靠性和安全性。
  4. 封装形式兼容性强,便于安装和替换其他同类产品。
  5. 支持宽范围的工作电压和大电流输出,适应多样化的应用场景。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保无污染。

应用

AOD600A70广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 消费类电子产品中的功率管理模块
  该器件因其优异的性能和稳定性,在需要高效功率转换和精确控制的场合尤为适用。

替代型号

AOD600A80, IRFZ44N, FQP50N06L

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AOD600A70参数

  • 现有数量3,511现货
  • 价格1 : ¥10.73000剪切带(CT)2,500 : ¥4.54601卷带(TR)
  • 系列aMOS5?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)600 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)870 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63