SFM-120-T2-F-D是一种表面贴装型的功率MOSFET器件,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该型号采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,可显著降低功耗并提高系统性能。
此功率MOSFET属于N沟道增强型器件,能够承受较高的漏源电压,并且具备优异的热特性和电气稳定性。其封装形式为TO-263(D-PAK),支持自动化焊接工艺,适合大规模生产。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:42A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:典型值15ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263(D-PAK)
SFM-120-T2-F-D的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在4.5V栅极驱动电压下仅为1.5mΩ,有助于减少传导损耗。
2. 高额定电流能力,可提供高达42A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能,栅极电荷较小,确保高效的高频操作。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 封装设计紧凑,支持表面贴装技术(SMT),简化电路板布局并提高生产效率。
SFM-120-T2-F-D适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理与保护电路。
SFP-120-T2-F-D, SFQ-120-T2-F-D