LHF00L13 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):30A(在25°C)
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻 Rds(on):典型值为 6.5mΩ(在VGS=10V)
功率耗散(PD):110W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6-DFN
LHF00L13 具备多项优异的电气和热性能特性,首先是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了电流传导路径,从而提升了电流密度和热稳定性。
其次,LHF00L13 的封装设计为 PowerFLAT 5x6-DFN,具有优异的热管理能力,能够有效将热量传导至 PCB,避免局部过热。这种封装形式也非常适合高密度电路设计,节省空间的同时提供良好的机械稳定性。
该器件还具有较高的最大漏极电流能力(30A),能够在短时间内承受较大的电流冲击,适用于需要高脉冲电流的应用场景。此外,LHF00L13 的最大工作电压为 30V,适用于多种低压功率转换系统,如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。
其栅极驱动电压范围为 ±20V,支持常见的 10V 和 12V 栅极驱动电源,便于与各种控制器或驱动器配合使用。同时,LHF00L13 在高温环境下仍能保持稳定工作,工作温度范围达到 -55°C 至 +175°C,适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场合。
LHF00L13 广泛应用于多种功率电子系统中。首先,在 DC-DC 转换器中,该器件可作为主开关或同步整流器,因其低导通电阻和高效率,能够显著提升转换效率并减少发热。其次,在电源管理系统中,LHF00L13 可用于负载开关或电源分配控制,其高电流能力和良好的热管理性能确保系统稳定运行。
此外,该 MOSFET 还常用于电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其封装紧凑且热性能优异,也非常适合用于便携式设备、服务器电源、电信设备和车载电子系统。
在汽车电子领域,LHF00L13 可用于电动助力转向系统、车载充电器、逆变器及各种车载功率模块,其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车应用的严苛要求。
STLHF00L13AG, STLHF00L13ALT, STDHF00L13T