时间：2025/8/28 2:33:26
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LHF00L13 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A（在25°C）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻 Rds(on)：典型值为 6.5mΩ（在VGS=10V）
功率耗散（PD）：110W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6-DFN
LHF00L13 具备多项优异的电气和热性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电流传导路径，从而提升了电流密度和热稳定性。
其次，LHF00L13 的封装设计为 PowerFLAT 5x6-DFN，具有优异的热管理能力，能够有效将热量传导至 PCB，避免局部过热。这种封装形式也非常适合高密度电路设计，节省空间的同时提供良好的机械稳定性。
该器件还具有较高的最大漏极电流能力（30A），能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于需要高脉冲电流的应用场景。此外，LHF00L13 的最大工作电压为 30V，适用于多种低压功率转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。
其栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 10V 和 12V 栅极驱动电源，便于与各种控制器或驱动器配合使用。同时，LHF00L13 在高温环境下仍能保持稳定工作，工作温度范围达到 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场合。
LHF00L13 广泛应用于多种功率电子系统中。首先，在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器，因其低导通电阻和高效率，能够显著提升转换效率并减少发热。其次，在电源管理系统中，LHF00L13 可用于负载开关或电源分配控制，其高电流能力和良好的热管理性能确保系统稳定运行。
此外，该 MOSFET 还常用于电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其封装紧凑且热性能优异，也非常适合用于便携式设备、服务器电源、电信设备和车载电子系统。
在汽车电子领域，LHF00L13 可用于电动助力转向系统、车载充电器、逆变器及各种车载功率模块，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车应用的严苛要求。
STLHF00L13AG, STLHF00L13ALT, STDHF00L13T
