时间：2025/6/21 0:43:37
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IPB048N06LG 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适合于高效率的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该器件由 Infineon（英飞凌）生产，主要应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：95mΩ
栅极电荷：12nC
开关速度：快
封装形式：TO-252
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPB048N06LG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在大电流条件下具有较低的功耗。
2. 快速的开关性能使其适用于高频开关电路。
3. 高雪崩能力提高了器件的耐用性和可靠性。
4. 具有良好的热稳定性和电气稳定性，适应较宽的工作温度范围。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接和使用。
这些特性使得 IPB048N06LG 在高效能电力转换和负载开关中表现优异。
IPB048N06LG 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 各类电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 工业设备中的功率管理模块。
其低导通电阻和高频率性能使其成为许多功率应用的理想选择。
IPP048N06L, IPPB048N06LS3
