型号：H27U1G8F2BFR-BCR
　　制造商：SK Hynix
　　类型：NAND Flash
　　容量：1 Gbit (128 MB)
　　接口类型：8位并行接口（I/O）
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：48-pin
　　读取时间：最大70ns（访问时间）
　　擦除时间：约2ms（块）
　　编程时间：约200μs（页）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H27U1G8F2BFR-BCR 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，具有出色的可靠性和稳定性。其主要特性包括：采用8位并行接口，支持快速数据读取和写入操作；支持页编程和块擦除功能，提高了存储效率；内置ECC（错误校正码）机制，增强数据完整性；具备宽电压工作范围（2.7V至3.6V），适应多种电源环境；支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的应用。此外，该芯片的TSOP封装形式有助于减小PCB空间，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　在存储结构方面，H27U1G8F2BFR-BCR 采用页和块的管理方式，通常一页为512字节或更多，每个块包含多个页，擦除操作以块为单位进行，从而提升存储效率。该芯片支持重复编程和擦除操作，具备较高的耐用性，适合用于频繁读写的应用场景，如嵌入式系统、数据记录器和固态存储设备。

H27U1G8F2BFR-BCR 主要应用于需要中等容量非易失性存储的各类电子设备，包括但不限于工业控制系统、嵌入式系统、手持设备、数据采集器、打印机、消费类电子产品（如MP3播放器、数码相机）以及固态硬盘（SSD）控制器模块等。其宽电压范围和工业级温度适应性使其非常适合用于需要高可靠性的工业和车载环境中。

H27U1G8F2CTR-BCR, H27U1G8F2BTR-BCR, H27U1G8F2CBB