时间：2025/7/5 1:55:26
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SFM-110-L2-S-D-K-TR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关晶体管，专为高频率、高效率的电源转换应用而设计。该器件采用了先进的封装技术，能够显著降低寄生电感和热阻，从而提高整体性能。
其独特的设计使其适用于各种高频DC-DC转换器、LLC谐振转换器以及图腾柱PFC等应用场景，同时支持更小尺寸的磁性元件，有助于减少系统体积并降低成本。
型号：SFM-110-L2-S-D-K-TR
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
工作电压：650V
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.1mΩ（典型值）
栅极驱动电压：4V（关断）/6V（导通）
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247-4L
SFM-110-L2-S-D-K-TR 具备卓越的高频性能，能够在高达数兆赫兹的频率下运行，同时保持较低的开关损耗和导通损耗。得益于 GaN 技术，该器件具有以下特点：
- 高击穿电压和低导通电阻，提供优异的效率表现。
- 超快开关速度，有效减少死区时间和开关损耗。
- 极低的输入和输出电容，降低动态损耗。
- 内置 ESD 保护功能，增强器件的鲁棒性。
- 支持并联使用以实现更高的电流能力。
- 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
SFM-110-L2-S-D-K-TR 广泛应用于需要高性能功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
- 数据中心服务器电源
- 电动汽车车载充电器（OBC）
- 工业用 DC-DC 转换器
- 太阳能逆变器中的高频升压电路
- 图腾柱功率因数校正（PFC）电路
- 小型化便携式充电设备如 USB-PD 快充适配器
- 高效谐振 LLC 转换器设计
由于其出色的高频特性和低损耗，该器件非常适合追求紧凑设计和高效率的应用场景。
SFM-110-H2-S-D-K-TR
SFM-90-L2-S-D-K-TR
SFM-130-L2-S-D-K-TR
