STP12N65M5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及各种需要高效功率控制的场景中。
STP12N65M5的主要特点是其高耐压能力(可达650V)和较低的导通电阻,能够在高频工作条件下提供较高的效率。同时,该器件具有低栅极电荷特性,有助于减少开关损耗。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻(Rds(on)):4.3Ω(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:80nC(典型值)
总电容(Ciss):1490pF
开关时间:ton=98ns,toff=49ns(典型值)
功耗:260W
结温范围:-55℃至+175℃
STP12N65M5属于MDmesh? MOSFET系列,具有以下主要特点:
1. 高击穿电压(650V),适用于高压应用环境。
2. 较低的导通电阻(4.3Ω),能够减少传导损耗,提高系统效率。
3. 低栅极电荷和输出电荷设计,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
4. 极高的热稳定性,允许的工作温度范围为-55℃到+175℃,适应恶劣的工作条件。
5. 内部采用了先进的制造工艺,优化了动态性能和静态性能的平衡。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
STP12N65M5适用于多种电力电子应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
3. 各种类型的逆变器和转换器模块。
4. LED照明驱动电路。
5. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压电路。
6. 家用电器和工业设备中的功率控制部分。
由于其高耐压和低损耗特性,该器件非常适合在需要高效率和高可靠性的场合使用。
STP16N65M5
IRFP460
FQP17N65