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STP12N65M5 发布时间 时间:2025/6/28 23:24:02 查看 阅读:4

STP12N65M5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及各种需要高效功率控制的场景中。
  STP12N65M5的主要特点是其高耐压能力(可达650V)和较低的导通电阻,能够在高频工作条件下提供较高的效率。同时,该器件具有低栅极电荷特性,有助于减少开关损耗。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(Rds(on)):4.3Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:80nC(典型值)
  总电容(Ciss):1490pF
  开关时间:ton=98ns,toff=49ns(典型值)
  功耗:260W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

STP12N65M5属于MDmesh? MOSFET系列,具有以下主要特点:
  1. 高击穿电压(650V),适用于高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻(4.3Ω),能够减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 低栅极电荷和输出电荷设计,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
  4. 极高的热稳定性,允许的工作温度范围为-55℃到+175℃,适应恶劣的工作条件。
  5. 内部采用了先进的制造工艺,优化了动态性能和静态性能的平衡。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

STP12N65M5适用于多种电力电子应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  3. 各种类型的逆变器和转换器模块。
  4. LED照明驱动电路。
  5. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压电路。
  6. 家用电器和工业设备中的功率控制部分。
  由于其高耐压和低损耗特性,该器件非常适合在需要高效率和高可靠性的场合使用。

替代型号

STP16N65M5
  IRFP460
  FQP17N65

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STP12N65M5参数

  • 其它有关文件STP12N65M5 View All Specifications
  • 产品培训模块5th Generation High Voltage Mosfet Technology
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C430 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 100V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 工具箱497-8012-KIT-ND - KIT MOSFET MD MESH
  • 其它名称497-10304-5