品牌：Samsung
　　型号：K7R643682M-FC16
　　类型：LPDDR2 SDRAM
　　容量：256Mb (32MB)
　　组织结构：64M x 32位
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.8V, VDDCA/VDDIO = 1.5V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball FBGA (FC16)
　　数据速率：可达400 Mbps per pin
　　时钟频率：最高200MHz
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C (结温)
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　兼容标准：JEDEC LPDDR2-JESD209-2
　　刷新周期：自动/自刷新模式支持
　　访问时间：典型值约15ns
　　最大功耗：典型工作条件下小于150mW

K7R643682M-FC16具备多项关键特性，使其在移动设备内存解决方案中占据重要地位。首先，其低电压设计显著降低了系统整体功耗，这对于依赖电池供电的便携式设备至关重要。核心电压采用1.5V而I/O接口维持1.8V的设计平衡了信号完整性与能效表现。该芯片支持多种电源管理模式，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）以及深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），这些功能可根据系统负载动态调整能耗，在待机或轻载状态下大幅减少电流消耗。
　　其次，该器件采用同步架构，所有输入输出操作均与时钟信号同步，确保了高速数据传输的稳定性。它使用差分时钟（CK/!CK）作为同步基准，有效抑制噪声干扰，提升时序精度。数据在时钟的上升沿和下降沿均可传输，实现双倍数据速率，理论峰值带宽可达6.4GB/s（在x32位宽度下）。
　　再者，K7R643682M-FC16内部划分为多个独立的Bank（通常为8个），允许交错访问不同Bank中的数据，从而提高并发处理能力，减少等待时间。这种多Bank架构特别适用于需要频繁切换页面的复杂应用环境。
　　此外，该芯片支持可编程CAS延迟（CL）、突发长度（Burst Length）和突发类型（顺序或交错），增强了系统的灵活性与兼容性。内置温度传感器可监控芯片结温，并根据温度变化调整刷新率（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），避免高温下数据丢失的同时降低低温时不必要的功耗。
　　最后，其90-ball FBGA封装具有较小的占地面积和良好的热性能，便于在空间受限的主板上进行高密度布线。虽然该型号已不再主流生产，但其在当时代表了移动DRAM技术的重要进展，为后续LPDDR标准的发展奠定了基础。

K7R643682M-FC16主要应用于各类移动计算与通信设备中，尤其是在2010年代初期广泛使用的智能手机和平板电脑平台上。由于其低功耗特性和较高的集成度，该芯片常被用作应用处理器的外部主内存，用于运行操作系统、应用程序和临时数据缓存。典型应用场景包括中低端Android智能手机，尤其是搭载单核或双核ARM架构处理器（如三星Exynos 4210、德州仪器OMAP4系列等）的设备，这些平台通常需要256MB至512MB的RAM容量，K7R643682M-FC16可与其他同类芯片并联组成更大容量的内存子系统。
　　此外，该器件也适用于便携式媒体播放器（PMP）、电子书阅读器、车载信息娱乐系统（IVI）以及工业手持终端等对体积和功耗敏感的产品。在嵌入式系统开发中，它曾作为评估板或参考设计中的标准内存配置，帮助开发者验证SoC与LPDDR2接口的兼容性。
　　由于其符合JEDEC标准化协议，K7R643682M-FC16能够与多种支持LPDDR2接口的处理器无缝对接，无需复杂的定制驱动即可实现稳定运行。尽管当前主流设备已转向更高带宽的LPDDR4/LPDDR5方案，但在维修市场或替代老旧设备元器件时，该型号仍有需求。需要注意的是，由于该芯片已停产多年，新设计项目中不推荐使用，且需注意长期供货风险和替代方案的可行性。

K4P2G324EC-FC15
　　EM68A160TS-6G