STP13NK60ZFP 时间：2025/7/23 15:35:22 阅读：2

STP13NK60ZFP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要设计用于高电压和高电流的应用场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等。该MOSFET具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能，能够提供高效、可靠的功率管理解决方案。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：13A（在25°C时）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大值）
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

STP13NK60ZFP具备多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。其主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这可以降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的高击穿电压（600V）使其适用于高电压应用，能够承受较高的电压应力，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　该器件采用了先进的平面技术，具有良好的热稳定性和耐久性。其TO-220FP封装形式有助于提高散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的温度上升。此外，STP13NK60ZFP的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使得其可以与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　该MOSFET还具有较低的开关损耗，适合高频开关应用。其快速开关特性可以减少开关过程中的能量损耗，进一步提升系统的整体效率。此外，STP13NK60ZFP具有较高的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命。

应用

STP13NK60ZFP广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和控制电路、照明系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备等。其高电压和高电流处理能力使其非常适合用于需要高效功率管理的场合。例如，在开关电源中，该MOSFET可以用作主开关器件，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它可以用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的功率输出。
　　此外，STP13NK60ZFP还可用于电池充电器、逆变器和不间断电源（UPS）等应用，提供可靠的功率开关功能。由于其良好的热性能和较高的耐压能力，该器件在高温和高压环境下仍能保持稳定的工作状态，适用于严苛的工业环境。