SRT20L150SCS是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用N沟道增强型技术。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,专为高效率电源转换应用设计。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够提供出色的散热性能,适用于各种大电流、高频开关场景。
该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换器等场景,通过优化的芯片结构和制造工艺,能够在高负载条件下保持较低的功耗和温度上升。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:20A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:超快
工作结温范围:-55℃ to 175℃
封装类型:TO-263
SRT20L150SCS采用了先进的沟槽式MOSFET技术,显著降低了导通电阻和开关损耗,从而提高了整体效率。
1. 低导通电阻:仅为8.5mΩ,减少了传导过程中的能量损失。
2. 快速开关能力:低栅极电荷(45nC)使其具备优异的开关性能,非常适合高频应用。
3. 高可靠性:工作结温范围宽广(-55℃至175℃),可适应极端环境条件。
4. 热性能优越:得益于TO-263封装设计,能够有效散发热量,确保长时间稳定运行。
5. 静电防护:内置ESD保护电路,增强了芯片在实际使用中的鲁棒性。
SRT20L150SCS广泛应用于多种工业和消费类电子领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换器中,实现高效电能转换。
2. 电机驱动:适用于各类直流无刷电机和步进电机驱动系统。
3. 逆变器:在光伏逆变器和其他电力变换设备中发挥关键作用。
4. 负载开关:作为高效负载切换元件,支持多种便携式电子产品。
5. 工业控制:如焊接机、UPS不间断电源等领域。
由于其出色的电气特性和热管理能力,这款MOSFET特别适合需要高效率、高可靠性的应用场景。
SRT20L150NCS, IRFZ44N, FDP18N15