型号：SFM-108-T1-F-D-K-TR
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　封装：TO-263 (DPAK)
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
　　Id（持续漏极电流）：108A
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V
　　Qg（总栅极电荷）：75nC
　　f（工作频率范围）：最高支持500kHz
　　Tj（结温范围）：-55℃至+175℃

SFM-108-T1-F-D-K-TR采用了先进的Trench MOSFET结构设计，使其在低导通电阻方面表现出色。其Rds(on)仅为4.5mΩ，有效降低了导通损耗，在大电流应用场景中尤为显著。
　　该器件还具有快速开关速度，配合低栅极电荷Qg的设计，能够减少开关损耗，提升整体效率。此外，其高达108A的持续漏极电流能力和60V的耐压等级，确保了其在高压或大电流环境下稳定运行。
　　为了适应现代电子设备对小型化的需求，SFM-108-T1-F-D-K-TR采用了DPAK封装形式，这种封装方式不仅易于焊接，还提供了良好的散热性能。
　　此外，该芯片的工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃均可正常工作，这使其非常适合工业级和汽车级应用。

SFM-108-T1-F-D-K-TR主要应用于需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
　　2. 电动工具和家用电器中的直流电机驱动电路。
　　3. 汽车电子系统中的负载开关和电池保护电路。
　　4. 大功率LED照明系统的恒流控制模块。
　　5. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动电路。
　　由于其优异的电气特性和可靠性，该器件特别适用于需要高电流输出和高频工作的场合。

SFP108N06LL, IRFZ44N, FDP15U20A