HM5165165FTT-5是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速存取时间和低功耗特性,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。
容量:16Mb
组织结构:1M x 16
电源电压:3.3V
访问时间:5ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
HM5165165FTT-5 SRAM芯片采用先进的CMOS技术,提供高速数据访问能力,访问时间仅为5ns,非常适合需要快速数据处理的应用。其低功耗设计使其在待机模式下也能保持较低的能耗,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
此外,该芯片采用TSOP封装,体积小巧,便于在紧凑的电路板设计中使用。其工业级温度范围确保了在恶劣环境条件下也能稳定运行,适用于工业控制、通信设备和网络设备等应用场景。
HM5165165FTT-5 SRAM芯片广泛应用于需要高性能和低功耗的电子设备中,如路由器、交换机、工业控制系统、测试设备和嵌入式系统等。其高速存取和稳定性使其成为缓存存储器、数据缓冲器和高速临时存储器的理想选择。
CY7C1361BV33-548BZXC, IDT71V416S08YG8-BC