SFG100N10GF是一种高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型结构。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换系统中。它具备低导通电阻和快速开关能力,能够有效降低能量损耗并提高系统效率。
SFG100N10GF采用了先进的制造工艺,优化了栅极电荷和输出电容参数,从而使其非常适合高频开关应用。同时,该器件具有较强的雪崩能力和较高的可靠性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:32A
导通电阻:8mΩ(典型值)
栅极电荷:45nC(最大值)
输入电容:1050pF
反向传输电容:260pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗。
2. 快速开关速度,可实现高频操作。
3. 较小的栅极电荷Qg,便于驱动设计。
4. 高雪崩击穿能量承受能力,提升系统可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
6. 提供多种表面贴装和通孔封装选项,适应不同应用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 逆变器及不间断电源(UPS)系统中的关键组件。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换设备中的功率开关。
6. 各类负载切换和保护电路中的电子开关。
SFG100N10GFS
SFG100N10G
IRFZ44N
FDP16N10
STP32NF10