晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：150 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　噪声系数（NF）：≤ 1.5 dB（典型值）
　　封装形式：TO-92（三引脚直插式）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

KTC9016S-H-RTK是一款针对高频应用优化的NPN晶体管，其低噪声系数和高增益特性使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）设计，特别是在射频前端电路中。它的高频响应可达100 MHz，能够满足大多数通信和信号处理应用的需求。此外，该晶体管的hFE（电流增益）范围较宽，根据具体等级（如O、Y、GR、BL等）可在110至800之间变化，用户可以根据设计要求选择合适的等级。该晶体管的封装形式为TO-92，是一种常用的三引脚直插式封装，便于在PCB上安装和使用。
　　KTC9016S-H-RTK具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于工业级和消费级电子产品。该晶体管的最大集电极电流为150 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够满足大多数低功率放大应用的需求。其最大功耗为200 mW，设计时需要注意散热问题，尤其是在高电流工作条件下。
　　在制造工艺方面，KTC9016S-H-RTK采用了硅外延平面工艺，确保了器件的稳定性和一致性。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。

KTC9016S-H-RTK主要用于高频信号放大电路，特别是在射频（RF）和音频放大器中表现优异。它常用于无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）、射频混频器、振荡器和调制解调电路。此外，该晶体管也广泛应用于音频放大器前置级、传感器信号放大器以及各种便携式电子设备中的信号处理电路。由于其低噪声系数和高增益特性，KTC9016S-H-RTK在FM收音机、无线遥控器、对讲机以及其他需要高灵敏度信号放大的设备中具有良好的应用效果。同时，由于其封装小巧、成本低廉，也适合在消费类电子产品中大量使用。

2N3904, BC547, 2SC9016