SFDG50AQ101 时间：2025/11/12 19:52:51 阅读：15

SFDG50AQ101是一款由Vishay Siliconix公司生产的高性能、高可靠性硅栅极MOSFET器件，专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的TrenchFET技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，能够在高频工作条件下实现更低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。SFDG50AQ101属于N沟道增强型MOSFET，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的电源管理模块等应用场景。
　　该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8L封装中，具备优良的热性能和电流承载能力，同时兼容表面贴装工艺，适合自动化生产流程。其额定电压为100V，最大连续漏极电流可达23A（在TC=25°C条件下），使其能够在中高功率密度设计中提供出色的性能表现。此外，SFDG50AQ101还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，提升了在恶劣工作环境下的可靠性和耐用性。

参数

型号：SFDG50AQ101
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100 V
　　连续漏极电流(ID)：23 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：92 A
　　导通电阻(RDS(on))：10.5 mΩ @ VGS=10V, ID=11.5A
　　导通电阻(RDS(on))：13 mΩ @ VGS=4.5V, ID=9A
　　栅源阈值电压(VGS(th))：2.1 V ~ 3.2 V
　　栅极电荷(Qg)：25 nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：1370 pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：38 ns
　　工作温度范围(Tj)：-55 °C ~ 150 °C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L

特性

SFDG50AQ101采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，显著降低了导通电阻与寄生电容之间的权衡关系，从而实现了卓越的品质因数（Figure of Merit, FOM），即RDS(on) × Qg值极低，有助于提升高频开关应用中的能效表现。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为10.5mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平，能够有效减少大电流条件下的I2R损耗，降低温升，延长系统寿命。
　　其栅极电荷Qg仅为25nC，意味着驱动电路所需的能量更少，有利于使用低功耗驱动IC或集成控制器，特别适用于对效率要求严苛的同步整流拓扑结构，如Buck、Boost及半桥/全桥变换器。同时，较低的输入电容Ciss（1370pF）进一步减小了开关过程中的动态损耗，提高了系统的开关频率上限，支持小型化磁性元件的设计。
　　该器件具备良好的热稳定性，PowerPAK SO-8L封装去除了传统引线框架设计中的焊线连接，采用双面散热结构，显著提升了热传导效率，结到外壳的热阻（RθJC）低至1.5°C/W，确保在高负载工况下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也增强了机械可靠性，避免了焊线断裂的风险，尤其适合存在振动或热循环应力的应用环境。
　　SFDG50AQ101符合RoHS环保标准，并通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其可在汽车电子等高可靠性要求领域中稳定运行。其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=38ns），可减少续流过程中的反向恢复电荷（Qrr），抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统EMI性能。综合来看，SFDG50AQ101是一款集低损耗、高效率、高可靠性和优秀热管理于一体的先进功率MOSFET，广泛适用于工业电源、电信设备、电动工具、新能源系统以及车载充电系统等领域。

应用

SFDG50AQ101广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中，典型用途包括：同步整流型DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器、隔离式电源的副边整流、负载开关与热插拔控制电路、电机驱动器中的H桥拓扑、电池管理系统（BMS）中的充放电控制、服务器与通信设备的VRM（电压调节模块）、太阳能逆变器中的功率级开关以及电动汽车车载充电机（OBC）等。由于其优异的电气和热性能，特别适合用于高功率密度、高效率和高温工作环境下的电源设计。