HM7551-3是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM系列。这款芯片广泛应用于需要中等容量内存的嵌入式系统、工业控制设备以及消费类电子产品中。HM7551-3提供了一种经济高效的内存解决方案,适用于对成本敏感但需要稳定性能的应用场景。
容量:1M x 16位
电压:5V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:0°C至70°C
访问时间:55ns/70ns/100ns(根据具体型号后缀)
刷新周期:64ms
数据保持电压:2V
最大工作电流:160mA(典型值)
HM7551-3具备较高的可靠性和稳定性,适合在多种工作环境下运行。其异步接口设计简化了与主控制器的连接,降低了系统设计的复杂度。该芯片支持常见的DRAM操作模式,包括读取、写入和刷新操作,以确保数据的完整性和持久性。
该芯片采用TSOP封装,具有较小的体积和较低的功耗,适用于空间受限的设计。此外,HM7551-3的工作温度范围为商业级(0°C至70°C),适合大多数非极端环境的应用。
其55ns、70ns或100ns的访问时间提供了不同性能等级的选择,用户可以根据系统的速度需求选择合适的型号。64ms的刷新周期确保了数据在不频繁刷新的情况下仍能保持稳定,减少了处理器的负担。
HM7551-3通常用于需要外部内存扩展的嵌入式系统,如打印机、扫描仪、工业控制设备、网络设备以及老一代的消费电子产品。其异步接口和5V供电特性使其兼容性强,适合与多种微控制器和处理器配合使用。
在工业控制领域,HM7551-3可以作为缓冲存储器或临时数据存储单元,用于处理传感器数据、控制信号或图形信息。在消费类电子产品中,它可用于图像处理、音频存储或作为系统缓存,提升设备的响应速度和运行效率。
此外,由于其价格相对低廉,HM7551-3也常被用于教育和开发平台,帮助学生和工程师进行嵌入式系统的学习和实验。
HM7551B-3、HM7551AP-3、CY7C1021B-55ZS、IS61LV25616-55B