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H5DU5182ETR-K3C 发布时间 时间:2025/9/1 18:25:28 查看 阅读:7

H5DU5182ETR-K3C 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的内存解决方案,广泛应用于计算设备、服务器、网络设备以及消费类电子产品中。该芯片采用先进的制造工艺,具备较高的存储容量和数据传输速率。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),适用于需要高性能内存支持的系统设计。

参数

型号: H5DU5182ETR-K3C
  制造商: SK Hynix
  类型: DRAM
  容量: 512MB
  数据宽度: 16位
  电压: 2.3V - 3.6V
  封装类型: BGA
  引脚数: 54
  工作温度范围: 工业级 (-40°C 至 +85°C)
  存储温度范围: -55°C 至 +125°C
  最大工作频率: 166MHz
  访问时间: 最大 5.4ns
  封装尺寸: 48mm x 27mm x 1.0mm

特性

H5DU5182ETR-K3C DRAM芯片具有多个关键特性,使其适用于各种高性能应用环境。首先,该芯片具有512MB的存储容量,支持16位数据宽度,能够提供高效的数据存取能力。其高速访问时间为5.4ns,最大工作频率可达166MHz,满足了对内存响应速度有较高要求的系统需求。
  其次,该芯片采用低功耗设计,在2.3V至3.6V的宽电压范围内运行,使其能够在不同电源条件下稳定工作,同时也适用于便携式设备和嵌入式系统。此外,H5DU5182ETR-K3C的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在严苛的环境条件下稳定运行,增强了其在工业自动化、通信设备和车载系统中的适用性。
  封装方面,该芯片采用54引脚BGA封装,尺寸为48mm x 27mm x 1.0mm,便于集成到空间受限的设计中。这种封装形式不仅提高了电气性能,还增强了散热能力和机械稳定性,适合高频和高密度PCB布局要求。
  最后,该芯片具备良好的兼容性和稳定性,适用于需要长期运行的系统,如网络设备、服务器和嵌入式控制系统。其可靠性和高性能使其成为许多工业和消费类应用中的首选存储解决方案。

应用

H5DU5182ETR-K3C因其高性能和稳定性,广泛应用于多个领域。在工业自动化方面,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和数据采集系统,提供高速、可靠的数据存储能力。在网络设备领域,如路由器和交换机中,该芯片能够支持高速数据缓存,提升设备的处理能力和响应速度。
  在消费类电子产品中,如高端智能手机、平板电脑和智能电视,H5DU5182ETR-K3C可作为主内存或缓存使用,提高设备运行效率和多任务处理能力。此外,该芯片也适用于嵌入式系统和汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车载导航和ADAS(高级驾驶辅助系统),以满足对内存性能和可靠性的高要求。
  由于其宽工作温度范围和低功耗设计,该芯片也适合在恶劣环境条件下运行的设备,如安防监控系统、工业机器人和智能电表等。在服务器和存储设备中,该DRAM芯片可作为缓存存储器,提升系统的整体性能和稳定性。

替代型号

H5DU51822AMR-K3C, H5DU5182ETR-E3C, H5DU5182ETR-K25

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