类型：碳化硅（SiC）MOSFET模块
　　最大漏源电压（VDS）：1800V
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ
　　封装类型：双列直插式（Dual Inline）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　短路耐受能力：6倍额定电流，持续时间10μs
　　栅极驱动电压：+20V/-5V
　　绝缘等级：符合UL 94 V-0标准

MCD200-18I01具备多项先进特性，首先其采用碳化硅材料，使得器件能够在更高的开关频率下工作，同时保持较低的开关损耗，这对提高系统效率至关重要。
　　其次，该模块的导通电阻仅为18mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体功率转换效率。
　　此外，MCD200-18I01具备较强的短路耐受能力，能够承受高达6倍额定电流的瞬态短路电流，持续时间可达10μs，提升了系统的可靠性和安全性。
　　在封装方面，该模块采用双列直插式封装，具备良好的散热性能，能够有效应对高功率应用中的热管理挑战。
　　最后，MCD200-18I01的栅极驱动电压范围为+20V/-5V，支持快速开关动作，同时具备较强的抗干扰能力，适用于复杂的电磁环境。

MCD200-18I01广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，如新能源汽车的主驱逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC变换器等。
　　在光伏逆变器领域，该模块可用于实现高效率的并网逆变系统，提升能源转换效率。
　　此外，MCD200-18I01也适用于储能系统的功率转换装置，支持高效、稳定的能量存储与释放。
　　在工业电源方面，该模块可用于高频电源、不间断电源（UPS）和电机驱动系统，满足高可靠性和高性能需求。

Cree/ Wolfspeed的CAB450M12XM3、Infineon的FS800R12W2M1_B11、ON Semiconductor的NTH4L050N170SC1