时间：2025/5/21 21:57:22
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50N10A是一款基于MOSFET技术的功率场效应晶体管，采用TO-252封装形式。该器件适用于高频开关和低功耗应用场合，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其耐压为100V，持续漏极电流可达50A，非常适合用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃~175℃
50N10A采用了先进的工艺设计，具有低导通电阻的特点，从而减少了功率损耗并提高了效率。此外，它还具备快速开关速度，能够适应高频操作需求。同时，其高雪崩能量能力增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
TO-252封装形式使其易于安装在印刷电路板上，并且提供了良好的散热性能。由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管
2. 电机驱动中的H桥和半桥配置
3. 电池保护电路中的负载开关
4. LED驱动器中的电流调节
5. 各种DC-DC转换器模块
6. 继电器替代方案以实现更长寿命和更高效率
IRF540N
STP50NF10
FDP5800
