时间：2025/7/1 19:48:40
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NTP6412ANG 是一款由 ON Semiconductor（安森美）推出的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-263-3（DPAK）封装形式，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。它具有出色的电气性能，适合开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用。
型号：NTP6412ANG
封装：TO-263-3 (DPAK)
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：5.7mΩ
Id（连续漏极电流）：80A
Vgs(th)（栅极开启电压）：2V~4V
Qg（总栅极电荷）：29nC
Ftp（典型开关频率）：1MHz
Ptot（总功耗）：2.4W
Tj（工作结温范围）：-55°C ~ 175°C
NTP6412ANG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压 Vds 可以在高压环境中稳定工作。
3. 快速开关特性，能够适应高频应用需求。
4. 小巧的 DPAK 封装形式使其适用于空间受限的设计。
5. 出色的热稳定性，允许更高的工作温度范围。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
NTP6412ANG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. 各类电机驱动电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化和汽车电子中的功率控制模块。
6. 高效节能的家电产品设计。
NTMFS4C626NL
IRF840
FQP12N10
STP100NF10
