时间：2025/6/18 20:58:52
阅读：5
SFC-135-T1-L-D-K-TR是一款表面贴装封装的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式工艺技术制造，具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
其设计优化了静态和动态性能参数，适用于要求苛刻的工业和消费类电子产品环境。
类型：MOSFET
封装：SOT-223
VDS（漏源极电压）：100V
RDS(on)（导通电阻）：0.08Ω
最大漏极电流ID：45A
栅极电荷Qg：35nC
总功耗Ptot：17W
工作温度范围TJ：-55°C 至 175°C
导通电阻温升系数：0.006%/°C
这款功率MOSFET拥有非常低的导通电阻RDS(on)，可以减少导通损耗，提升系统效率。
它还具备优异的热性能，能够支持较高的连续电流输出而不至于过热。
快速开关能力确保了在高频开关电路中的高效表现。
SFC-135-T1-L-D-K-TR采用了坚固耐用的设计，在恶劣的工作条件下也能保持稳定运行，并且符合RoHS环保标准。
该芯片广泛应用于各种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关和保护电路
6. 消费类电子设备中的电源管理单元
7. 工业自动化设备中的功率级控制
SFC-135-T1-H-D-K-TR, SFC-135-T2-L-D-K-TR
