晶体管类型：PNP
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作点不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：100 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5 V

LMBT5401LT3G具有多项优异的电气特性和物理特性，适合多种应用场景。首先，它的最大集电极-发射极电压（VCEO）为100 V，能够承受较高的电压，适用于需要较高电压隔离的应用。其次，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，虽然不是高功率晶体管，但在低功耗应用中表现良好。此外，LMBT5401LT3G的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，具体取决于集电极电流和温度条件，这使其能够灵活地用于不同的放大电路设计。
　　该晶体管的过渡频率（fT）为100 MHz，表明其在高频放大应用中具有良好的响应能力。这对于射频（RF）和音频放大器等应用非常重要。LMBT5401LT3G采用SOT-23封装，具有较小的体积，适合高密度PCB布局，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
　　在极端工作条件下，该晶体管的最大工作温度可达150°C，确保其在高温环境下仍能稳定运行。此外，LMBT5401LT3G的功耗为300 mW，使其在低功耗电路设计中具有优势。其集电极-基极击穿电压（VCBO）为100 V，发射极-基极击穿电压（VEBO）为5 V，确保在正常工作范围内不会因电压过高而损坏。

LMBT5401LT3G晶体管适用于多种电子电路设计。首先，它常用于放大电路，如音频放大器和射频（RF）放大器，特别是在低功率信号放大中表现优异。其次，它也广泛用于开关电路，例如在数字逻辑电路、电源管理模块和信号处理电路中作为电子开关使用。此外，该晶体管在消费类电子产品中也有广泛应用，如手机、平板电脑、智能穿戴设备和家用电器中的电源管理和信号控制电路。
　　在工业控制领域，LMBT5401LT3G可用于传感器信号放大、继电器驱动和小型电机控制等应用。它也适用于汽车电子系统，例如车载娱乐系统、车身控制模块和照明控制系统。由于其高可靠性和良好的温度稳定性，LMBT5401LT3G在汽车电子中能够适应较为恶劣的工作环境。
　　另外，LMBT5401LT3G还可用于电池供电设备中的电源管理电路，帮助延长电池寿命。它在低功耗设计中的应用使其成为物联网（IoT）设备和便携式电子设备的理想选择。

BC847 PNP, 2N3906, MMBT5401, SMBT5401, PN2907