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DTC124EKAT146 发布时间 时间:2025/5/31 1:11:36 查看 阅读:9

DTC124EKAT146 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度,适合于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。

参数

型号:DTC124EKAT146
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:TO-220
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:9nC
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

DTC124EKAT146 具备卓越的电气性能,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  其低导通电阻特性使其在大电流应用中表现出色,同时快速的开关速度有助于减少开关损耗。
  该器件还具有出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下长时间运行。
  此外,DTC124EKAT146 的保护功能完善,包括过流保护和短路耐受能力,确保电路的安全性。

应用

DTC124EKAT146 广泛应用于各类电力电子设备中,例如高效 DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器、电动工具驱动电路以及电动车控制器。
  其高电流承载能力和低损耗特性使其成为这些高功率密度应用的理想选择。
  此外,它也适用于工业自动化设备中的负载开关和电机驱动场景。

替代型号

DTC124EKAT145, DTC124EKAQ146

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DTC124EKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)56 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC124EKAT146TR