时间：2025/3/18 11:25:29
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600L0R6AW200T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低损耗应用场景设计。该器件采用先进的制程技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。
其封装形式为 TO-247-3，能够提供良好的散热性能，并支持大电流应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：18A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：100kHz
结温范围：-55℃ 至 175℃
1. 超低导通电阻，有助于减少功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高额定电压（600V），确保在高压环境下稳定运行。
4. 强大的电流承载能力，能够满足多种功率需求。
5. 先进的封装技术，优化了热管理和电气性能。
6. 支持较宽的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 新能源汽车中的逆变器
6. 太阳能微逆变器
7. 电池管理系统（BMS）
由于其卓越的性能表现，该器件成为许多高功率密度设计的理想选择。
600L0R7AW200T, IRFP460N, FDP5500
