时间：2025/9/14 13:02:13
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PSMN3R5-30YL,115是一款由Nexperia（安世半导体）制造的功率MOSFET器件，属于增强型N沟道MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及其他需要高效率和低导通电阻的功率应用中。PSMN3R5-30YL,115采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适合在高功率密度和高温环境下工作。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
引脚数：8
PSMN3R5-30YL,115的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和可靠性。此外，其LFPAK56封装具有优异的热性能，能够有效散热，从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。
该MOSFET具有较高的电流承载能力，在80A的连续漏极电流下仍能保持良好的性能。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，适用于多种栅极驱动器设计。此外，PSMN3R5-30YL,115具备快速开关特性，减少了开关损耗，适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器等。
该器件的封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并减少寄生电感的影响，从而降低开关过程中的电压振荡。LFPAK56封装还支持双面散热，有助于进一步提升散热效率。PSMN3R5-30YL,115在汽车电子应用中也具备良好的适用性，符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）等。
PSMN3R5-30YL,115适用于多种功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源设备以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换应用的理想选择，尤其是在需要紧凑设计和高效散热的场合。在汽车应用中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路等。
PSMN5R8-30LD,115 | PSMN2R0-30LD,115 | IPP085N03L G | SQJQ164EP
