SFC-115-T2-F-D-K-TR 是一种表面贴装封装的功率半导体芯片,主要用于高频开关和高效功率转换应用。它属于 MOSFET 类型,采用先进的制造工艺以提供高效率和低导通电阻特性。该器件适用于各种工业、通信及消费类电子设备中的电源管理解决方案。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:48A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:95nC
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263-7L
SFC-115-T2-F-D-K-TR 提供了卓越的电气性能,其主要特点包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少传导损耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合于现代高频电源设计。
3. 高电流处理能力,确保在大功率应用场景下稳定运行。
4. 具备出色的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持高性能。
5. 内置保护功能,例如过流保护和短路耐受,提高了系统的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
此功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 太阳能逆变器及 UPS 系统。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 汽车电子系统,如电动助力转向和电池管理系统。
6. 高效 LED 驱动器和其他需要高效率功率转换的应用场景。
SFC-115-T2-F-D-J-TR, IRF3710, FDP18N10E