时间：2025/9/14 0:26:32
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NX6008NBKSX 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench沟槽技术制造，具有高效率和低导通电阻的特点。该器件适用于多种功率管理应用，包括电源转换、负载开关、马达控制和电池供电设备等。NX6008NBKSX 采用紧凑的TSOP封装，适合对空间要求较高的应用设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：0.215Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
NX6008NBKSX MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在导通状态下损耗更低，提高整体系统效率。
该器件采用了先进的Trench沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，适用于高频开关应用。
其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，增强了器件的稳定性和可靠性。
在8A连续漏极电流能力下，NX6008NBKSX可以胜任中等功率水平的应用，如DC-DC转换器、同步整流器以及电池管理系统等。
紧凑的TSOP封装使其适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能，有助于提高设备的长期运行稳定性。
此外，NX6008NBKSX在高温环境下依然保持稳定的工作性能，适用范围广泛。
NX6008NBKSX广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC降压/升压转换器、负载开关、同步整流器和电源管理模块。
该器件也可用于马达控制电路、电池供电设备以及便携式电子产品中的功率开关应用。
此外，NX6008NBKSX还可用于工业自动化控制系统、电源适配器和LED照明驱动电路。
由于其良好的导通性能和高频响应能力，它也适合用于电源逆变器和UPS（不间断电源）系统中。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、车身控制模块以及电池管理系统。
SiSS188N, FDS6680, IRF7413, BSS138K
