时间：2025/8/13 23:37:59
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HFM105W-W是一款由Hefei Core Semiconductor Co., Ltd.（合肥核心半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率应用而设计，适用于电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动电路、电池管理系统等多种工业和消费类电子设备中。HFM105W-W采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流能力，能够在较高的开关频率下工作，从而减小外围元件的体积，提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺（SMT）以提高生产效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：70A（在Tc=25℃）
最大脉冲漏极电流（Idm）：280A
导通电阻（Rds(on)）：≤5.5mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
HFM105W-W是一款高性能功率MOSFET，其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为5.5mΩ，这使得在大电流工作时产生的导通损耗极低，提高了整体能效。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET工艺，增强了电流处理能力，并优化了开关性能，使其在高频开关应用中表现优异。
HFM105W-W具有高达100V的漏源耐压（Vds），并支持高达70A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET的最大栅源电压为±20V，确保在驱动过程中不会因过高的驱动电压而损坏，提高了器件的稳定性和可靠性。
该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定工作，工作温度范围从-55℃至+175℃，适用于严苛的工作环境。同时，其TO-252（DPAK）封装形式具备良好的散热性能，支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性和自动化生产效率。
此外，HFM105W-W具备良好的短路耐受能力和抗过载能力，适用于需要高可靠性的工业电源、电动工具、电池管理系统（BMS）等应用场合。
HFM105W-W广泛应用于多种高功率和高频开关电路中。其主要应用领域包括：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业电源、LED照明驱动电路、电动工具及新能源设备等。
在DC-DC转换器中，HFM105W-W可作为主开关器件，其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率，减少热量损耗。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制电路，实现高效、安全的能量管理。
由于其高耐压和大电流能力，HFM105W-W也非常适合用于高性能电机驱动器，如电动车辆、工业自动化设备和机器人控制系统中的电机控制电路。此外，在LED照明系统中，它可用于高效率的LED驱动电源，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
总体而言，HFM105W-W凭借其优异的电气性能和可靠的封装设计，是众多高功率密度和高效率电子系统中的理想选择。
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