SFC-110-T2-F-D是一种专为高频通信和信号处理设计的射频功率晶体管。该器件采用了先进的半导体工艺,具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于无线通信系统、雷达设备以及其他射频应用。其封装形式优化了散热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
这款晶体管支持宽频率范围内的高效工作,同时具备良好的匹配特性和出色的稳定性,可满足现代通信系统对高性能电子元器件的需求。
型号:SFC-110-T2-F-D
类型:射频功率晶体管
最大输出功率:100W
频率范围:50MHz 至 250MHz
增益:15dB(典型值)
Vds(漏源电压):50V
Rds(on)(导通电阻):0.2Ω
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
SFC-110-T2-F-D的主要特性包括以下几点:
1. 高功率输出能力,在指定频率范围内能够提供高达100W的输出功率。
2. 稳定的增益表现,即使在不同负载条件下也能保持较高的线性度。
3. 具备优良的热性能,通过优化的封装设计提高了散热效率。
4. 在高频段表现出色,适合多种无线通信应用场景。
5. 良好的射频匹配特性,减少了外部元件的复杂性。
6. 支持宽广的工作温度范围,增强了器件在极端环境下的可靠性。
7. 低失真设计确保信号质量不受影响,特别适用于对信号纯净度要求高的场合。
SFC-110-T2-F-D广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站的功率放大器模块。
2. 海事、航空及军用无线电设备中的射频发射部分。
3. 雷达系统的脉冲功率放大阶段。
4. 医疗成像设备中涉及高频信号处理的部分。
5. 工业控制和测试测量设备中的射频能量生成单元。
6. 广播系统中的大功率音频传输部分。
由于其强大的性能和适应性,该器件是许多射频应用的理想选择。
SFC-110-T3-F-D, SFC-120-T2-F-D