时间：2025/8/2 5:43:06
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DMP3056LSSQ-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的高性能双 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效功率管理的应用场景。该 MOSFET 封装形式为 8-Pin SOIC，便于表面贴装，适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压 (VDS)：30V
栅源电压 (VGS)：±20V
漏极电流 (ID)：6A（每个通道）
导通电阻 (RDS(on))：26mΩ @ VGS=10V
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-Pin SOIC
DMP3056LSSQ-13 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件的双通道设计使其能够同时控制两个独立的负载，适用于多路功率管理应用。此外，该 MOSFET 采用了先进的 Trench 工艺，使得在保持小尺寸的同时实现了高性能。其高电流处理能力（每个通道 6A）和低 RDS(on)（26mΩ）相结合，使其非常适合用于电池供电设备、DC-DC 转换器和负载开关等应用。
DMP3056LSSQ-13 还具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（2.4W），确保在高负载条件下仍能稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的 10V 栅极驱动电路，兼容性强。此外，该器件的工作温度范围宽（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制系统、汽车电子和便携式电子产品。
DMP3056LSSQ-13 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流、电池保护电路、负载开关控制以及电机驱动电路。由于其双通道设计和高效率特性，该器件特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理模块。此外，在工业自动化系统中，它可用于控制继电器、传感器和执行器等外围设备的电源供应。在汽车电子方面，DMP3056LSSQ-13 可用于车载充电器、LED 照明系统和车身控制模块等应用。
Si3442DV-T1-GE3, NDS355AN, DMP2035UFG-13, DMN6140LVTW-7
