SF65G 是一款常用于电源管理和功率转换应用的电子元器件,通常被归类为功率晶体管或功率MOSFET。该器件在设计上具备高效能、高耐压和高电流承载能力,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率控制的场合。SF65G 以其稳定的性能和可靠性广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子以及汽车电子等领域。
类型:功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.15Ω
功率耗散(Ptot):200W
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C至150°C
栅极电荷(Qg):典型值为90nC
短路耐受能力:具备
雪崩能量能力:具备
SF65G 作为一款高性能功率MOSFET,具备多项显著特性,使其在复杂的工作环境中表现出色。首先,其高耐压能力(650V)使其适用于高电压输入的电源转换系统,如PFC(功率因数校正)电路和高压DC-DC转换器。其次,该器件的最大漏极电流为35A,具备较强的电流承载能力,适用于高功率输出的应用场景。
此外,SF65G 的导通电阻较低,典型值为0.15Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统整体效率。同时,其高功率耗散能力(200W)确保在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性,避免过热损坏。
该器件采用TO-247封装,具备良好的散热性能,并且易于安装和维护。TO-247封装也广泛用于高功率器件中,具备较高的机械强度和电气绝缘性能。
SF65G 还具备一定的短路耐受能力和雪崩能量承受能力,这在实际应用中可以提升系统的可靠性和安全性。其栅极电荷(Qg)为90nC,属于中等水平,适合使用标准的MOSFET驱动电路进行控制。
总体而言,SF65G 在性能、可靠性和适用性方面表现优异,是一款广泛应用于工业和高功率电子设备中的功率MOSFET。
SF65G 被广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适合需要高电压和高电流处理能力的场合。其典型应用包括开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及LED照明电源等。
在开关电源中,SF65G 可作为主功率开关器件,用于实现高效的能量转换。其高耐压特性使其适用于宽输入电压范围的电源设计,同时其低导通电阻也有助于降低损耗,提高效率。
在PFC电路中,SF65G 用于提升电源系统的功率因数,减少谐波失真,满足更高的能效标准。其高电流和高电压能力使其在连续导通模式(CCM)PFC中表现优异。
在电机驱动器和逆变器应用中,SF65G 可以作为H桥或半桥拓扑中的关键开关元件,实现对电机或负载的精确控制。其良好的热性能和耐久性确保在高频率开关条件下仍能保持稳定运行。
此外,该器件也适用于高功率LED驱动电源、不间断电源(UPS)系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
STF65N65M2, FCP65N65S3, IPW65R015CFD7