时间：2025/7/1 21:20:45
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HH18N3R3C101LT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其主要设计目的是在紧凑的封装中提供高效的功率转换能力，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率控制的场合。
型号：HH18N3R3C101LT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压VDS：30V
最大栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：18A（典型值）
导通电阻RDS(on)：3mΩ（在VGS=10V时）
总栅极电荷Qg：36nC
输入电容Ciss：1200pF
输出电容Coss：75pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
HH18N3R3C101LT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，可支持高频应用。
3. 较高的漏极电流能力，能够处理大电流负载。
4. 优异的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 小巧的封装尺寸，便于集成到空间受限的设计中。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
7. 高可靠性设计，满足长时间稳定工作的需求。
HH18N3R3C101LT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. 通信电源和服务器电源中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他绿色能源系统中的功率调节。
5. 各类电池管理系统 (BMS) 中的保护与切换功能。
6. 其他需要高效功率转换或精确电流控制的应用场景。
IRF3205, SI4889DY, AO3400
