类型: LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率: 50 MHz - 1 GHz
　　漏极电流（最大）: 200 mA
　　漏-源极击穿电压（VDS）: 65 V
　　输入阻抗: 50 Ω
　　输出功率: 10 W（典型值）
　　增益: 20 dB（典型值）
　　效率: 65%以上（典型值）
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-270

TDS2285-50的主要特性之一是其宽频率覆盖范围，使其适用于多种射频应用，特别是在蜂窝通信频段（如800 MHz、900 MHz和1.9 GHz）中表现优异。此外，该晶体管具有较高的线性度，这对于减少信号失真和提高通信质量至关重要。由于采用了LDMOS技术，TDS2285-50在高频下仍能保持较高的效率和输出功率，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　TDS2285-50的封装设计优化了散热性能，确保在高功率工作条件下器件的稳定运行。该晶体管还具有良好的抗失配能力，能够在负载变化的情况下保持性能稳定。此外，其高输入阻抗设计简化了外部匹配电路的需求，从而降低了系统设计的复杂性并减少了整体成本。
　　另一个显著特点是其优异的耐用性和稳定性，在长时间运行和高功率操作中表现出色，适用于对可靠性要求较高的通信基础设施。TDS2285-50的电气特性和机械结构也符合工业标准，便于在多种应用中进行替换和集成。

TDS2285-50广泛应用于射频功率放大器设计，尤其是在无线通信基础设施中。典型应用包括蜂窝基站放大器、广播发射机、无线局域网（WLAN）设备以及测试和测量仪器中的射频信号放大模块。由于其高效率和高输出功率特性，该器件也常用于工业和科学设备中的射频能量传输系统。在移动通信系统中，TDS2285-50可用于多频段基站的功率放大级，以支持不同的通信标准，如GSM、CDMA、WCDMA和LTE。此外，它还可以用于射频加热和等离子体生成等特殊应用中，提供稳定可靠的射频能量输出。

TDS2285-50的替代型号包括TDS2285和TDS2285-25，这些型号在功能和性能上类似，但在工作电压、频率范围或输出功率方面可能略有不同。