SF5920SMGT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能等特性,广泛适用于各种需要高效能和可靠性的电路设计。
该芯片的封装形式为SOT-23,尺寸紧凑,非常适合空间受限的设计场景。
型号:SF5920SMGT
类型:N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):2.7A
导通电阻(Rds(on)):0.12Ω
栅极电荷(Qg):6nC
总功耗(Ptot):470mW
工作温度范围(Ta):-55℃ to 150℃
封装形式:SOT-23
1. SF5920SMGT具备极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 具有快速的开关特性,适合高频操作环境。
3. 高度可靠的电气性能确保在极端条件下也能稳定运行。
4. 封装紧凑,节省PCB空间,特别适合便携式设备和其他小型化设计。
5. 提供了优异的热性能,有助于提高整体系统的散热能力。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流应用。
2. DC/DC转换器中的功率开关元件。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 各类消费电子产品的功率管理模块。
5. 电机驱动和LED驱动中的开关组件。
IRLZ44N
FDP5920
AO3400