时间：2025/8/14 22:29:10
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PJU5NA80是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺，具备高性能和高可靠性的特点，适用于各种需要高效功率转换的场景。
类型：功率MOSFET
极性：N沟道
漏源电压（VDS）：80V
漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
功率耗散（Ptot）：125W
PJU5NA80是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和高电流能力，适用于高效率电源系统。其低RDS(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的热稳定性和电流承载能力。此外，PJU5NA80的封装设计优化了散热性能，使其能够在高功率应用中保持稳定的运行。该器件还具备较高的耐用性和可靠性，适用于长期运行的工业设备和电源系统。
在动态性能方面，PJU5NA80具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极电荷量较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行。此外，PJU5NA80的制造工艺确保了其良好的互换性和一致性，便于在批量应用中使用。
该器件广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化设备。此外，PJU5NA80也适用于高功率LED驱动、汽车电子系统以及新能源设备中的功率控制模块。
TKA80N80,TN80N80H
