FN15N4R7C500PNG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频、高效功率转换应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关性能,适用于各种电源管理场景。
这款MOSFET特别适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED照明以及其他需要高效能开关的应用中。其封装形式为行业标准的PN结栅极封装,能够有效提升散热性能并优化电气连接。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:15A
导通电阻(典型值):4.7mΩ
栅极电荷:35nC
总电容(输入电容):1200pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:PN结封装
FN15N4R7C500PNG具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻确保在高电流条件下实现高效的功率传输,减少能量损耗。
2. 快速开关能力使其非常适合高频应用环境,同时降低了开关损耗。
3. 高温稳定性允许该MOSFET在极端温度范围内保持稳定性能。
4. 封装设计优化了散热性能,有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。
5. 符合RoHS标准,支持环保要求。
该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
4. 各种负载开关应用场景。
5. LED照明驱动解决方案。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护与切换功能。
IRFZ44N
FDP15N40L
STP15NF06L