SENC23T15V2UA 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高性能功率开关器件,专为高频开关应用而设计。该型号属于增强型常关 (E-Mode) GaN 晶体管,具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够显著提高电源转换效率并减小系统尺寸。
SENC23T15V2UA 采用超小型封装设计,非常适合空间受限的应用场景。它广泛应用于 DC-DC 转换器、快充适配器、无线充电器以及其他高频功率转换领域。
额定电压:150V
连续漏极电流:7A
导通电阻:20mΩ
栅极阈值电压:1.6V - 3.0V
输入电容:940pF
最大功耗:25W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:TO-252 (DPAK)
SENC23T15V2UA 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(20mΩ),可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度,支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 高击穿电压(150V),确保在高压环境下的可靠性。
4. 增强型常关模式,无需额外的驱动电路即可安全操作。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
6. 高热稳定性,能够在宽温范围内保持性能一致性。
7. 兼容标准 MOSFET 驱动电路,便于现有设计升级。
SENC23T15V2UA 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器设计。
2. USB-PD 快速充电器。
3. 无线充电发射端功率级。
4. LED 驱动器和照明应用。
5. 工业电源及电机驱动控制。
6. 小型化 AC-DC 适配器。
7. 各类高频功率转换和逆变器模块。
SENC23T100V2UA, SENC23T80V2UA