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LMSZ36ET1G 发布时间 时间:2025/8/13 10:21:03 查看 阅读:24

LMSZ36ET1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-523封装,适用于便携式电子设备、电池管理系统、电源监控电路等需要精确电压限制的场合。LMSZ36ET1G的标称齐纳电压为36V,能够在较小的封装中提供稳定的电压调节性能。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-523
  标称齐纳电压:36V
  最大齐纳电流:20mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  引脚数:2
  极性:无极性
  最大反向漏电流(VR):100nA @ 25V

特性

LMSZ36ET1G采用先进的硅扩散工艺制造,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。该齐纳二极管在宽电流范围内维持稳定的击穿电压,适用于需要高精度电压限制的应用。SOD-523封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。此外,该器件具有低动态阻抗特性,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定。
  LMSZ36ET1G的响应速度快,能够有效抑制瞬态电压波动,保护后续电路免受过压损害。该器件还具有较低的温度系数,确保在不同工作温度下仍能提供一致的电压参考性能。由于其良好的重复性和稳定性,LMSZ36ET1G广泛用于精密模拟电路和数字控制系统的电压监测电路中。

应用

LMSZ36ET1G适用于多种电子系统的电压调节和参考应用,包括电源监控、电池充电管理、DC-DC转换器、电压检测电路以及信号调理模块。在工业控制系统中,该齐纳二极管可用于PLC模块的电压参考源。在消费类电子产品中,如智能手机和平板电脑,LMSZ36ET1G可用于保护电池管理系统免受过压影响。此外,该器件也常用于测试仪器和测量设备中的电压基准电路。

替代型号

LMSZ36E-TP LMSZ36E-HE3-A/H LMSZ36E-TP-H

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