SEMIX151GD12VS 是一款由赛米控(SEMIKRON)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子系统中,例如变频器、逆变器和电机驱动器等。该模块集成了两个IGBT芯片,具备高效率、低损耗和高可靠性等优点,适用于中高功率应用。模块采用标准封装设计,便于集成到各种工业设备中。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):150A(在Tc=80℃条件下)
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
短路耐受能力:典型值5μs
封装类型:SEMiX 3
芯片技术:FS7 IGBT4 芯片
最大功耗:约180W
绝缘等级:符合UL 94 V-0标准
安装方式:螺丝安装
SEMIX151GD12VS 模块采用了先进的IGBT4芯片技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体能效。其SEMiX 3封装设计支持更高的功率密度,同时具备良好的热管理和机械稳定性。模块内部集成了反并联二极管,可以有效提高系统的可靠性。此外,该模块还支持并联运行,适用于需要更高电流的应用场景。通过优化内部结构设计,该模块在高电压和大电流条件下仍能保持稳定运行,适用于各种严苛的工业环境。
模块的封装设计符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺。其内部端子设计降低了寄生电感,有助于减少开关过程中的电压尖峰,提高系统稳定性。此外,模块还具备良好的绝缘性能,能够有效隔离高压部分与控制电路,确保操作安全。
该模块广泛应用于工业电机驱动、伺服驱动器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机以及电动汽车充电设备等领域。由于其高可靠性和高效能,也适用于需要频繁开关操作的高功率电子设备中。
SKM150GB12T4ag, FF150R12RT4