时间：2025/9/2 11:03:19
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H9DA4GH2GJBMCR-4EM 是由SK Hynix（现为Solidigm）生产的一款高密度NAND闪存芯片，属于3D NAND技术的产品线。该芯片采用多层堆叠技术，以实现更高的存储密度和更优的性能表现。它主要用于固态硬盘（SSD）、企业级存储设备和嵌入式存储系统。这款NAND闪存芯片支持高容量存储，适用于需要大容量和高性能的存储解决方案。
容量：4GB（32Gb）
架构：3D NAND
接口：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
电压：1.8V / 3.3V
封装类型：TSOP
工作温度范围：0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C
H9DA4GH2GJBMCR-4EM NAND闪存芯片具有多项先进特性，确保其在各种应用场景下的高性能和可靠性。该芯片采用3D NAND架构，通过垂直堆叠存储单元来提高存储密度，同时降低单位成本。与传统的2D NAND相比，3D NAND提供了更好的耐用性和能效。
该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口标准，提供更高的数据传输速率，适用于高速存储应用。ONFI 4.0接口支持高达800MT/s的数据传输速率，而Toggle Mode 2.0则支持高达667MT/s的速度，满足不同系统设计的需求。
此外，H9DA4GH2GJBMCR-4EM具有较低的功耗设计，适用于对能耗敏感的便携式设备和数据中心应用。其电源电压为1.8V I/O和3.3V核心电压，支持多种电源管理模式，以优化功耗表现。
该芯片还具备强大的错误校正能力，支持ECC（错误校正码）功能，确保数据的完整性和可靠性。同时，它支持坏块管理和磨损均衡技术，延长了使用寿命并提高了稳定性。
在封装方面，该芯片采用TSOP（薄型小外形封装），便于在各种设备中集成。其工作温度范围包括标准工业级（0°C 至 70°C）和扩展工业级（-40°C 至 85°C）选项，适合在不同环境条件下使用。
H9DA4GH2GJBMCR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，它常用于固态硬盘（SSD）、U盘、存储卡和智能电视等设备中，提供大容量、高速度的存储解决方案。在工业和嵌入式系统中，该芯片可用于工业控制设备、医疗设备、车载系统和物联网设备，满足高可靠性和长寿命的需求。
在企业级应用中，该芯片适用于数据中心、服务器和高性能计算设备，作为缓存或存储介质使用，提供快速的数据访问能力和稳定的性能表现。其高耐用性和错误校正能力使其非常适合写入密集型应用，如日志记录和数据库存储。
此外，该芯片还适用于移动设备，如智能手机和平板电脑，为用户提供更大的存储空间和更流畅的用户体验。
H9DA4GH2AMAMCR-4EM, H9DA4GH2AMACMR-4EM, H9DA4GH2GJAMCR-4EM
