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H9DA4GH2GJBMCR-4EM 发布时间 时间:2025/9/2 11:03:19 查看 阅读:10

H9DA4GH2GJBMCR-4EM 是由SK Hynix(现为Solidigm)生产的一款高密度NAND闪存芯片,属于3D NAND技术的产品线。该芯片采用多层堆叠技术,以实现更高的存储密度和更优的性能表现。它主要用于固态硬盘(SSD)、企业级存储设备和嵌入式存储系统。这款NAND闪存芯片支持高容量存储,适用于需要大容量和高性能的存储解决方案。

参数

容量:4GB(32Gb)
  架构:3D NAND
  接口:ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
  电压:1.8V / 3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C

特性

H9DA4GH2GJBMCR-4EM NAND闪存芯片具有多项先进特性,确保其在各种应用场景下的高性能和可靠性。该芯片采用3D NAND架构,通过垂直堆叠存储单元来提高存储密度,同时降低单位成本。与传统的2D NAND相比,3D NAND提供了更好的耐用性和能效。
  该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口标准,提供更高的数据传输速率,适用于高速存储应用。ONFI 4.0接口支持高达800MT/s的数据传输速率,而Toggle Mode 2.0则支持高达667MT/s的速度,满足不同系统设计的需求。
  此外,H9DA4GH2GJBMCR-4EM具有较低的功耗设计,适用于对能耗敏感的便携式设备和数据中心应用。其电源电压为1.8V I/O和3.3V核心电压,支持多种电源管理模式,以优化功耗表现。
  该芯片还具备强大的错误校正能力,支持ECC(错误校正码)功能,确保数据的完整性和可靠性。同时,它支持坏块管理和磨损均衡技术,延长了使用寿命并提高了稳定性。
  在封装方面,该芯片采用TSOP(薄型小外形封装),便于在各种设备中集成。其工作温度范围包括标准工业级(0°C 至 70°C)和扩展工业级(-40°C 至 85°C)选项,适合在不同环境条件下使用。

应用

H9DA4GH2GJBMCR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,它常用于固态硬盘(SSD)、U盘、存储卡和智能电视等设备中,提供大容量、高速度的存储解决方案。在工业和嵌入式系统中,该芯片可用于工业控制设备、医疗设备、车载系统和物联网设备,满足高可靠性和长寿命的需求。
  在企业级应用中,该芯片适用于数据中心、服务器和高性能计算设备,作为缓存或存储介质使用,提供快速的数据访问能力和稳定的性能表现。其高耐用性和错误校正能力使其非常适合写入密集型应用,如日志记录和数据库存储。
  此外,该芯片还适用于移动设备,如智能手机和平板电脑,为用户提供更大的存储空间和更流畅的用户体验。

替代型号

H9DA4GH2AMAMCR-4EM, H9DA4GH2AMACMR-4EM, H9DA4GH2GJAMCR-4EM

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