类型：双达林顿晶体管阵列
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：最大1.5V（典型值1.0V）
　　峰值集电极电流：每通道最高可达3A
　　连续集电极电流：每通道1.5A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DIP14 或 SOP14
　　功耗：2.5W（Tamb=25°C）

DS0026 (GEN) 的核心特性在于其强大的电流驱动能力与高效的集成度。每个通道由一对达林顿连接的晶体管组成，从而实现了非常高的电流增益（β或hFE），使得即使在输入信号较弱的情况下也能有效驱动大电流负载。
　　此外，DS0026 还具备出色的热稳定性和过载保护功能，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其内部设计包括基极-发射极电阻，以确保晶体管在关闭状态下可靠截止，防止不必要的漏电流。
　　该芯片还具有良好的耐压性能，集电极-发射极之间的最大耐压可达到80V，适合用于多种电源电压下的应用。由于采用了先进的封装技术，芯片的散热性能良好，有助于提高整体系统的可靠性。
　　另一个重要特点是 DS0026 的应用灵活性。它可以通过简单的外部电路进行配置，支持不同的负载类型，如感性负载、阻性负载和容性负载。这种灵活性使其广泛应用于控制系统等领域。

DS0026 主要应用于以下领域：
　　? 步进电机驱动器：用于打印机、绘图仪、CNC设备等精密运动控制系统中；
　　? 继电器驱动：用于自动控制系统中的高电压/高电流开关控制；
　　? LED 显示屏扫描：适用于大型 LED 屏幕的行/列扫描驱动；
　　? 灯光控制系统：用于舞台灯光、建筑照明等需要高功率驱动的场景；
　　? 工业控制板卡：作为功率级输出元件，控制各种执行机构如电磁阀、加热元件等；

ULN2003, TIP120, L298N