时间：2025/7/24 2:18:08
阅读：5
IXFH42N20是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高功率和高频应用。该MOSFET封装为TO-247，便于散热和安装，适用于工业电源、电机控制和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：42A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.055Ω（最大）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V至4.0V
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH42N20的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高效率。这种特性使得该MOSFET在高电流应用中表现优异，减少了功率损耗和热量产生。此外，该器件具有高耐压能力，最大漏源电压可达200V，适用于中高功率系统。IXFH42N20还具备高开关速度，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM电机控制器。该器件的TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装在散热器上，确保长时间运行的可靠性。另外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用。栅极阈值电压的合理设计确保了器件可以被标准驱动电路有效控制，同时保持较低的开关损耗。
IXFH42N20广泛应用于多种电力电子系统中。在工业电源中，该MOSFET可用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，提供高效率和稳定性能。在电机控制系统中，IXFH42N20可用于H桥电路或PWM控制，实现电机的速度和方向调节。此外，该器件也适用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，用于电动汽车、太阳能逆变器和储能系统。由于其高可靠性和耐压能力，IXFH42N20也可用于焊接设备、UPS系统和电池充电器等高功率应用。在消费类电子产品中，该MOSFET可用于大功率LED驱动器或音频放大器的电源管理部分。
STP42NM20, FDP42N20
