类型：CMOS SRAM
　　容量：64K x 4位（256Kbit）
　　组织结构：65,536字 × 4位
　　供电电压：+5V ±10%
　　工作电流：典型值为70mA（在5MHz操作频率下）
　　待机电流：最大值为5mA（进入低功耗待机模式）
　　访问时间：15ns（最大值）
　　读写周期时间：15ns
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　封装形式：28-pin DIP（Dual In-line Package）或 SOIC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　抗静电能力：HBM模型下大于2kV

KM6465BP-15作为一款高速静态RAM，具备出色的存取速度与稳定的电气性能，其15ns的访问时间使其能够满足高频数据交换应用的需求，尤其适合用于缓存临时数据、图像处理缓冲区或实时控制系统中的变量存储。该芯片采用CMOS工艺制造，不仅保证了高速运行能力，同时有效降低了动态功耗，相较于早期NMOS技术的SRAM产品，在能效方面有显著提升。其内部电路设计包含全静态异步架构，只要电源维持正常即可保持数据，无需时钟信号或定期刷新，简化了系统设计复杂度。
　　该器件支持三态输出控制，允许其数据总线直接连接到微处理器或其他数字系统的共享总线上，实现多设备共用数据通道的功能。当片选信号（CE）无效时，芯片进入高阻抗状态，避免总线冲突；同时具备两种低功耗模式——待机模式和掉电模式，通过控制CE和OE引脚的状态可实现功耗管理，有助于延长便携式设备的电池寿命。
　　引脚排列遵循JEDEC标准定义，方便替换同系列其他型号，并兼容多种主流控制器接口。所有输入端均内置上拉或下拉电阻及保护二极管，增强了抗噪声干扰能力和静电放电（ESD）防护性能。此外，该芯片经过严格的老化测试和可靠性验证，确保在长时间运行条件下仍能保持数据完整性，适用于对稳定性要求较高的工业环境。尽管目前新型低电压同步SRAM逐渐取代此类5V器件，但KM6465BP-15仍在一些老旧设备维护和特定嵌入式系统中发挥重要作用。

KM6465BP-15主要用于需要高速、非易失性缓存能力的电子系统中，常见于上世纪90年代至2000年初的通信基础设施设备，如程控交换机、网络桥接器和调制解调器模块中，用作协议处理缓冲区或帧存储单元。在工业自动化领域，它被集成于PLC控制器、数控机床和数据采集系统中，用于暂存传感器数据、执行中间运算结果或保存运行日志信息。
　　此外，该芯片也广泛应用于测试与测量仪器，例如数字示波器、逻辑分析仪和频谱仪等设备中，作为采样数据的临时存储介质，以支持高速波形捕获和回放功能。在某些老式计算机系统和终端设备中，KM6465BP-15常被用作视频显示内存或BIOS扩展缓存，提升图形渲染效率。
　　由于其TTL电平兼容性和简单的异步接口协议，该器件也被用于教学实验平台和原型开发板中，帮助学生理解存储器的工作原理和总线时序控制机制。虽然随着技术进步，更高密度、更低功耗的同步SRAM和DDR类存储器已成为主流，但在设备维修、备件替换和技术延续项目中，KM6465BP-15依然具有一定的市场需求。

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