类型：IGBT模块
　　拓扑结构：Dual（双管）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：100A（在Tc=80℃条件下）
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　导通压降（VCE_sat）：约1.7V（在IC=100A时）
　　工作温度范围：-40℃至+150℃
　　封装类型：SEMITOP? 126mm2 HD（高功率密度封装）
　　绝缘等级：符合IEC 60172标准，绝缘材料耐温等级为H级（150℃）
　　热阻（Rth）：根据散热设计不同，典型值为0.32 K/W（模块到散热器）
　　符合RoHS标准：是

SEMIX103GB126HD 的核心特性之一是其高功率密度设计，采用先进的SEMITOP?封装技术，使模块在有限空间内实现更高的电流承载能力和散热效率。模块内部采用优化的芯片布局和低电感封装技术，有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提高系统效率。
　　此外，该模块具备优异的热管理性能，通过高导热陶瓷基板（如AlN或Si3N4）和高效的焊接工艺，确保在高负载条件下依然保持稳定的工作温度。模块内部的双IGBT结构允许灵活的控制策略，适用于多种拓扑结构如半桥、全桥、T型中点钳位等。
　　安全性和可靠性方面，SEMIX103GB126HD 通过严格的测试与认证，具备高短路耐受能力，防止因瞬态过流导致的器件损坏。模块还具有良好的抗湿度和抗腐蚀能力，适用于各种恶劣工作环境。

该模块广泛应用于多个高功率电子系统领域，包括但不限于：
　　? 工业电机驱动和变频器（如伺服驱动器、通用变频器）
　　? 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的主驱逆变器
　　? 光伏逆变器和储能系统（ESS）
　　? 轨道交通牵引系统（如地铁、高速列车）
　　? 电力电子变压器和不间断电源（UPS）系统
　　? 工业电焊机和感应加热设备

SKM100GB126D | FS100R12W1T7_B11 | SEMIX103GB126HS | SEMIX103GB126DD