时间：2025/8/6 6:39:29
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IXTV26N50P 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于高效能电源转换系统，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源供应器和电机控制设备。IXTV26N50P 具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适合在高功率密度设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXTV26N50P 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）为 0.21Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压额定值为 500V，使其能够在高电压环境下可靠运行。
另一个重要特性是其高电流承载能力，最大漏极电流为 26A，这使得 IXTV26N50P 适用于需要高电流输出的应用场景，如电机驱动和功率放大器。该器件的热性能也非常出色，封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定性。
IXTV26N50P 采用 TO-247 封装，适用于多种 PCB 安装方式，并具有良好的机械和电气连接性能。此外，其栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅源电压范围内稳定工作，简化了驱动电路设计。
IXTV26N50P 广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。在电源供应器中，它被用于构建高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换器，以提供稳定的电压输出并提高能源利用率。在电机控制应用中，例如无刷直流电机驱动器，该 MOSFET 可以作为功率开关，实现精确的速度和扭矩控制。此外，IXTV26N50P 还被用于逆变器设计，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），以实现高效的能量转换。由于其高耐压和高电流能力，该器件也常用于工业自动化设备、电动工具和电动汽车充电系统等高要求的应用场景。
IRF260N, FQA24N50, STP25N50
