SELC26F3V4UB 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率电子元件,专为高频开关和高能效应用场景设计。该芯片适用于电源管理、充电器、适配器以及电信和工业设备中的 DC-DC 转换器等应用。其内置驱动器和保护电路,能够提供快速的开关速度和出色的热性能,同时降低电磁干扰(EMI)。这款 GaN 器件通过优化栅极驱动和输出级参数,实现了更低的导通电阻和更高的效率。
型号:SELC26F3V4UB
类型:增强型 GaN FET
导通电阻(Rds(on)):35 mΩ(典型值,@25°C)
击穿电压(BVDSS):650 V
栅极阈值电压(Vgs(th)):1.5 V ~ 3 V
最大漏极电流(Id):26 A
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
输入电容(Ciss):1800 pF
输出电容(Coss):75 pF
反向恢复时间(trr):9 ns
SELC26F3V4UB 具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:支持高达 650V 的工作电压,适合高压应用场景。
2. 极低导通电阻:在同类产品中表现出优异的导通效率,降低功耗。
3. 快速开关速度:具备超短的反向恢复时间和较低的开关损耗,可实现更高频率的操作。
4. 集成保护功能:内置过温保护和过流保护,提高系统可靠性。
5. 小型化封装:采用 TO-252 封装,节省 PCB 空间并简化散热设计。
6. 宽广的工作温度范围:能够在极端温度条件下稳定运行,适应各种环境需求。
SELC26F3V4UB 广泛应用于需要高效率和高频操作的领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS):
- PC 和服务器电源
- 工业设备电源
2. 快速充电器:
- USB-PD 充电器
- 消费类移动设备充电解决方案
3. 通信设备:
- 电信基站电源
- 数据中心供电模块
4. 工业自动化:
- 电机驱动
- 可编程逻辑控制器(PLC)电源
5. 新能源:
- 太阳能逆变器
- 电动车车载充电器
SELC26F4V5UB, SELC28F3V4UB