时间：2025/8/17 2:50:55
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CJ5853DCB是一款由CJ（长电科技）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（最大值）
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：D2PAK
CJ5853DCB的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率；采用先进的沟槽式工艺，提供了更高的电流承载能力和更好的热稳定性；优化的栅极设计降低了开关损耗，适合高频开关应用；具有较高的耐用性和可靠性，能够在严苛的工作环境下稳定运行；同时具备良好的雪崩击穿耐受能力，增强了器件的安全性和稳定性。
此外，该器件的D2PAK封装形式具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导到PCB上，从而延长使用寿命。CJ5853DCB还符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品设计。
CJ5853DCB广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和良好的热稳定性，也常用于电源管理和节能照明系统。
SiR882DP-T1-GE3, IPD120N30N3G
