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STD3LN62K3 发布时间 时间:2025/7/22 22:55:17 查看 阅读:5

STD3LN62K3 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽栅极技术制造,具备低导通电阻(RDS(on))和高效率的特性。该器件主要用于功率管理和转换系统,如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等应用。STD3LN62K3 采用紧凑的封装形式,适合对空间和效率要求较高的电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):3A
  导通电阻(RDS(on)):160mΩ @ VGS=10V
  导通电阻(RDS(on)):210mΩ @ VGS=4.5V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:DFN3

特性

STD3LN62K3 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了能效。在60V漏源电压下,其最大漏极电流为3A,适用于中高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±20V,能够在VGS=10V时提供160mΩ的低导通电阻,在VGS=4.5V时提供210mΩ的导通电阻,使其适用于多种电源管理电路。
  此外,STD3LN62K3采用了DFN3封装,具备良好的热性能和空间利用率,适合在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,提高了系统的可靠性和耐久性。DFN3封装还具备低热阻特性,有助于散热,确保器件在高负载条件下仍能保持良好的性能。

应用

STD3LN62K3 主要应用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路等。在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为高边或低边开关,提供高效的电压转换能力。在负载开关应用中,它能够快速控制电源通断,减少静态电流消耗,提高系统能效。由于其良好的热性能和紧凑的封装,该器件也适用于便携式电子产品、电池管理系统(BMS)和工业自动化设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。

替代型号

STD3NK62Z, STD3N62K3, STD3P62K3

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STD3LN62K3参数

  • 其它有关文件STD3LN62K3 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)620V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 1.25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds386pF @ 50V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-11213-6