STD3LN62K3 时间：2025/7/22 22:55:17 阅读：15

STD3LN62K3 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性。该器件主要用于功率管理和转换系统，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等应用。STD3LN62K3 采用紧凑的封装形式，适合对空间和效率要求较高的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：160mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：210mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN3

特性

STD3LN62K3 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。在60V漏源电压下，其最大漏极电流为3A，适用于中高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，能够在VGS=10V时提供160mΩ的低导通电阻，在VGS=4.5V时提供210mΩ的导通电阻，使其适用于多种电源管理电路。
　　此外，STD3LN62K3采用了DFN3封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行，提高了系统的可靠性和耐久性。DFN3封装还具备低热阻特性，有助于散热，确保器件在高负载条件下仍能保持良好的性能。

应用

STD3LN62K3 主要应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路等。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，提供高效的电压转换能力。在负载开关应用中，它能够快速控制电源通断，减少静态电流消耗，提高系统能效。由于其良好的热性能和紧凑的封装，该器件也适用于便携式电子产品、电池管理系统（BMS）和工业自动化设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。